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聚合物-CdSe/ZnS量子点复合薄膜的制备及其荧光性能研究

周长华 , 王欣 , 申怀彬 , 李林松 , 陈建敏

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00700

以两性齐聚物(聚马来酸十六醇酯, PMAH)为修饰剂, 利用相转移的方法将油溶性的CdSe/ZnS 量子点转移至水中, 制备出高量子产率、高稳定性的水溶性CdSe/ZnS荧光量子点. 随后将PMAH修饰的水溶性量子点分散到聚丙烯酸(PAA)乳液中, 采用旋转涂膜的方法制备了透明的聚合物-CdSe/ZnS量子点复合薄膜, 在紫外灯的照射下薄膜发出明亮的红色光. 利用XPS对复合薄膜的表面结构进行了表征. 随后对膜的光致发光性能和薄膜在黑暗的环境中对紫外光的耐受性进行了系统的研究, 发现复合薄膜的荧光强度随着薄膜厚度和薄膜中纳米晶浓度的增加而线性增强, 薄膜在紫外光照射800 h后仍然保持了很高的荧光强度, 量子产率仅仅损失了5%.

关键词: 聚合物 , composite thin film , preparation , null

纳米GaAs-SiO_2镶嵌复合薄膜的制备

石旺舟 , 林揆训 , 林璇英

材料研究学报

采用射频磁控共溅射法制备了纳米GaAs-SiO2镶嵌复合薄膜.通过X射线衍射、透射电镜和X射线光电子能谱等手段研究了薄膜的结构及其与沉积时基片温度间的关系.结果表明:薄膜由晶态的GaAs及非晶SiO2组成,GaAs在沉积过程中未明显氧化,且以纳米颗位形式均匀地弥散在SiO2中;GaAs的平均粒径依赖于沉积时的基片温度获得了GaAs的平均位径为3~10nm的GaAs-SiO2镶嵌复合薄膜

关键词: 薄膜制备 , composite thin film , preparation

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